Product Demonstration
符合標(biāo)準(zhǔn):
AEC-Q101、MIL-STD-750D、GJB128、JEDEC等標(biāo)準(zhǔn)。
適用范圍:
適用于各種封裝形式的二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅、IGBT單管等器件進(jìn)行高溫反偏試驗(yàn)(HTRB)和高溫漏流測(cè)試（HTIR）。
技術(shù)特點(diǎn):
可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)每個(gè)的結(jié)溫TJ。
實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)每個(gè)試驗(yàn)器件的漏電流。
每個(gè)回路漏電流超上限電子開(kāi)關(guān)斷電保護(hù)。
全過(guò)程試驗(yàn)數(shù)據(jù)保存于硬盤(pán)中，可輸出Excel試驗(yàn)報(bào)表和繪制全過(guò)程漏電流IR變化曲線(xiàn)。
